開(kāi)關(guān)電源主要噪聲分析
什么是開(kāi)關(guān)電源的主要噪聲來(lái)源呢？依據(jù)測(cè)試開(kāi)關(guān)波形是開(kāi)關(guān)電源傳導(dǎo)噪聲（和輻射）主要來(lái)源
我們控制噪聲發(fā)射的第一步是理解噪聲來(lái)自何處。即怎樣產(chǎn)生和丈量那根線。有了噪聲的初始學(xué)問(wèn)，首先和最好的控制技術(shù)將是布置丈量線以防止噪聲從丈量線逃逸出來(lái)。這沒(méi)有什么奇異的，由于開(kāi)牽涉及到電路的高功率（很高的電流）和高dV/dt，以及源的高頻份量。例如MOSFET由導(dǎo)通到截止需50ns的基波是1/50ns＝20MHz，還有奇次諧波（60MHz，100MHz等等）。我們請(qǐng)求二極管和MOSFET盡可能同樣的快開(kāi)關(guān)速度，所以具有類似的頻譜。并且因而，快速開(kāi)關(guān)減少功率損耗。
事實(shí)上，晶體管和二極管（或同步整流管）是變換器功率通路中開(kāi)關(guān)噪聲的肇事者。假如次級(jí)有一個(gè)電感，高頻高功率頻譜重量不經(jīng)過(guò)它（但仍能輻射），所以在二極管以后很少噪聲。但是，假如功率變壓器設(shè)計(jì)得很好，磁芯構(gòu)成部分的屏蔽，所以它不產(chǎn)生太大的噪聲。
我們控制噪聲發(fā)射的第一步是理解噪聲來(lái)自何處。即怎樣產(chǎn)生和丈量那根線。有了噪聲的初始學(xué)問(wèn)，首先和最好的控制技術(shù)將是布置丈量線以防止噪聲從丈量線逃逸出來(lái)。這沒(méi)有什么奇異的，由于開(kāi)牽涉及到電路的高功率（很高的電流）和高dV/dt，以及源的高頻份量。例如MOSFET由導(dǎo)通到截止需50ns的基波是1/50ns＝20MHz，還有奇次諧波（60MHz，100MHz等等）。我們請(qǐng)求二極管和MOSFET盡可能同樣的快開(kāi)關(guān)速度，所以具有類似的頻譜。并且因而，快速開(kāi)關(guān)減少功率損耗。
事實(shí)上，晶體管和二極管（或同步整流管）是變換器功率通路中開(kāi)關(guān)噪聲的肇事者。假如次級(jí)有一個(gè)電感，高頻高功率頻譜重量不經(jīng)過(guò)它（但仍能輻射），所以在二極管以后很少噪聲。但是，假如功率變壓器設(shè)計(jì)得很好，磁芯構(gòu)成部分的屏蔽，所以它不產(chǎn)生太大的噪聲。
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